Descripción

En las últimas décadas, los avances tecnológicos en las técnicas de haces de iones (IBA) y de modificación de materiales (IBMM) han evolucionado causando un gran impacto en la sociedad, no sólo desde el punto de vista de aplicaciones industriales como: semiconductores, óptica, fotónica, aeroespacial, microelectrónica, energía, etc. sino como herramientas para el tratamiento y diagnóstico en la terapia del cáncer. El Centro de Microanálisis de Materiales (CMAM), cuenta con un acelerador de partículas tipo Tandem de 5 MV y 6 líneas de investigación dedicadas a la ciencia de los materiales, física del estado sólido y de superficies, entre otros. La línea de microhaz del CMAM tiene la capacidad de irradiar con haces de iones pesados ​​en el rango de los micrómetros (entre 1 - 5 µm2). Esta característica convierte al CMAM en una instalación única en el mundo, en la que es posible trabajar con un haz de iones pesados ​​en la escala del micrómetro.

En el CMAM estudiamos la posibilidad de fabricar estructuras micrométricas conductoras o superconductoras en diamante, mediante la tecnología de microhaz (patrones 3D, escritura con haz de iones, diseño de circuitos electrónicos, uniones Josephson, dispositivos micro-SQUID...).

El éxito de fabricación de estos dispositivos tendrá importantes implicaciones para el desarrollo de tecnología en microelectrónica y óptica (emisores de electrones de alta eficiencia, transistores, fotodetectores, etc.).

Entrada libre hasta completar aforo.

Más información

Fecha: Miércoles, 13 de diciembre de 2017, a las 13:00h.

Ponente: Nuria Gordillo García. Departamento de Física Aplicada. Centro de Microanáisis de Materiales. Universidad Autónoma de Madrid, España.