Descripción
En las últimas décadas, los avances tecnológicos en las técnicas de haces de iones (IBA) y de modificación de materiales (IBMM) han evolucionado causando un gran impacto en la sociedad, no sólo desde el punto de vista de aplicaciones industriales como: semiconductores, óptica, fotónica, aeroespacial, microelectrónica, energía, etc. sino como herramientas para el tratamiento y diagnóstico en la terapia del cáncer. El Centro de Microanálisis de Materiales (CMAM), cuenta con un acelerador de partículas tipo Tandem de 5 MV y 6 líneas de investigación dedicadas a la ciencia de los materiales, física del estado sólido y de superficies, entre otros. La línea de microhaz del CMAM tiene la capacidad de irradiar con haces de iones pesados en el rango de los micrómetros (entre 1 - 5 µm2). Esta característica convierte al CMAM en una instalación única en el mundo, en la que es posible trabajar con un haz de iones pesados en la escala del micrómetro.
En el CMAM estudiamos la posibilidad de fabricar estructuras micrométricas conductoras o superconductoras en diamante, mediante la tecnología de microhaz (patrones 3D, escritura con haz de iones, diseño de circuitos electrónicos, uniones Josephson, dispositivos micro-SQUID...).
El éxito de fabricación de estos dispositivos tendrá importantes implicaciones para el desarrollo de tecnología en microelectrónica y óptica (emisores de electrones de alta eficiencia, transistores, fotodetectores, etc.).
Entrada libre hasta completar aforo.
Más información
Fecha: Miércoles, 13 de diciembre de 2017, a las 13:00h.
Ponente: Nuria Gordillo García. Departamento de Física Aplicada. Centro de Microanáisis de Materiales. Universidad Autónoma de Madrid, España.
